Revestimentu di evaporazione: Riscaldandu è evaporendu una certa sustanza per dipositu nantu à a superficia solida, hè chjamatu revestimentu di evaporazione.Stu metudu hè statu prupostu prima da M. Faraday in 1857, è hè diventatu unu di i
Tecniche di rivestimentu cumunimenti usate in i tempi muderni.A struttura di l'equipaggiu di revestimentu di evaporazione hè mostrata in Figura 1.
Sustanze evaporate, cum'è metalli, cumposti, etc., sò posti in un crucible o appiccicatu nantu à un filu caldu cum'è a fonte di evaporazione, è a pezza di travagliu per esse placcata, cum'è metalli, ceramica, plastica è altri sustrati, hè posta davanti à u crogiole.Dopu chì u sistema hè evacuatu à un vacuum altu, u crucible hè riscaldatu per evaporà u cuntenutu.L'atomi o molécule di a sustanza evaporata sò dipositati nantu à a superficia di u sustrato in una manera cundensata.U grossu di a film pò varià da centinaie di angstroms à parechji microni.U gruixu di a film hè determinata da a rata di evaporazione è u tempu di a fonte di evaporazione (o a quantità di carica), è hè ligata à a distanza trà a fonte è u sustrato.Per i rivestimenti di grande area, un sustrato rotanti o parechje fonti di evaporazione sò spessu usati per assicurà l'uniformità di u spessore di film.A distanza da a fonte di evaporazione à u sustrato deve esse menu di u percorsu liberu mediu di e molécule di vapore in u gasu residuale per impediscenu a collisione di e molécule di vapore cù e molécule di gas residuale da causà effetti chimichi.L'energia cinetica media di e molécule di vapore hè di circa 0,1 à 0,2 electron volts.
Ci sò trè tippi di fonti di evaporazione.
①Fonte di riscaldamentu di resistenza: Aduprate metalli refrattari cum'è tungstenu è tantalu per fà foglia di barca o filamentu, è applicà corrente elettrica per riscalda a sustanza evaporata sopra o in u crucible (Figura 1 [Schema schematicu di l'equipaggiu di rivestimentu di evaporazione] rivestimentu in vacuum) Riscaldamentu di resistenza surghjente hè principalmente usata à evaporate materiali cum'è Cd, Pb, Ag, Al, Cu, Cr, Au, Ni;
②Fonte di riscaldamentu à induzione d'alta frequenza: aduprate un currente d'induzione d'alta frequenza per riscalda u crucible è u materiale di evaporazione;
③ Fonte di riscaldamentu di fasciu elettroni: applicabile Per i materiali cù una temperatura di evaporazione più alta (micca più bassa di 2000 [618-1]), u materiale hè vaporizatu bombardendu u materiale cù fasci di elettroni.
In cunfrontu cù altri metudi di rivestimentu di vacuum, u revestimentu evaporativu hà un tassu di depositu più altu, è pò esse rivestitu cù filmi composti elementari è micca decomposti termicamente.
Per deposità un film monocristallu d'alta purezza, l'epitassi di fasciu moleculare pò esse usatu.U dispositivu di epitassi di fasciu moleculare per a crescita di una sola capa di cristallu GaAlAs dopatu hè mostratu in a Figura 2 [Diagramma schematicu di u revestimentu in vacuum di u dispositivu di epitassi di fasciu moleculare].U furnace jet hè dutatu di una fonte di fasciu moleculare.Quandu hè riscaldatu à una certa temperatura sottu vacuum ultra-altu, l'elementi in u furnace sò ejected à u sustrato in un flussu moleculare di fasciu.U sustrato hè calatu à una certa temperatura, e molécule dipositu nantu à u sustrato ponu migrate, è i cristalli sò cultivati in l'ordine di u lattice di cristalli di sustrato.L'epitassi di u fasciu moleculare pò esse usatu
ottene un film di cristalli unicu compostu d'alta purezza cù u rapportu stechiometricu necessariu.A film cresce u più lento A velocità pò esse cuntrullata à 1 sola capa / sec.Per cuntrullà u baffle, a film di cristallu unicu cù a cumpusizioni è a struttura necessaria pò esse fatta cù precisione.L'epitassia di u fasciu moleculare hè largamente usata per fabricà diversi dispositi ottici integrati è vari filmi di struttura superlattice.
Tempu di post: 31-lugliu-2021